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半導體可靠性測試方法高低溫試驗箱：
試件：
多個樣品在同一試驗箱進行高溫實驗時，應保證所有樣品都處在同一環(huán)境溫度下，并具有相同的安裝條件。
對于散熱樣品而言，各個試件之間不能因輻射散熱而影響到其它試件，即試件間隔應足夠大，這樣對于單個試件來說，其他散熱試件輻射到其上的熱量所造成的溫度變化就很小，到可忽略的程度。
對于非散熱試件，溫度保持不變的高溫或低溫試驗，試件間的間距可以不做要求，因為溫度恒定后試件的溫度與溫度試驗箱內的溫度保持一致，不發(fā)生熱量交換，試件間的間距對試驗不會產生影響。
非散熱試件的溫度變化試驗試件間則應該保持間隔，使試驗件之間有足夠的空氣流動，加速試件與溫度試驗箱之間的熱交換，使試件盡快達到試驗的溫度。
試驗方法：
1.溫度下限工作試驗:受試樣品先加電運行測試程序進行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下，將箱內溫度逐漸降到0℃,待溫度穩(wěn)定后，加電運行測試程序5h，受試樣品功能與操作應正常，試驗完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復2h。
推薦檢驗標準：受試樣品功能與操作應正常，外觀無明顯偏差。
2.低溫儲存試驗將樣品放入低溫箱，使箱溫度降到-20℃，在受試樣品不工作的條件下存放16h，取出樣品回到室溫，再恢復2h，加電運行測試程序進行后檢驗，受試樣品功能與操作應正常，外觀無明顯偏差。為防止試驗中受試樣品結霜和凝露，允許將受試樣品用聚乙稀薄膜密封后進行試驗，必要時還可以在密封套內裝吸潮劑。
3.溫度上限工作試驗受試樣品先進行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下，將箱溫度逐漸升到40℃，待溫度穩(wěn)定后，加電運行系統(tǒng)診斷程序5h，受試樣品功能與操作應正常，試驗完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復2h。
4.高溫儲存試驗將樣品放入高溫箱，使箱溫度升到55℃，在受試樣品不工作的條件下存放16h，取出樣品回到室溫，恢復2h。
